Descripción

El IRF510N es un transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-220, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de radiofrecuencia (RF) y potencia moderada. Es muy utilizado en amplificadores RF, controladores de carga y proyectos de electrónica.

Especificaciones técnicas:

• Tipo: MOSFET de canal N
• Encapsulado: TO-220
• Voltaje Drain-Source (V_DS): 100 V
• Corriente de Drain (I_D): 5.6 A
• Resistencia en conducción (R_DS(on)): 540 mΩ
• Voltaje Gate-Source umbral (V_GS(th)): 2 a 4 V

Aplicaciones comunes:

• Amplificadores de radiofrecuencia (RF)
• Conmutación de cargas de potencia moderada
• Controladores de motores pequeños
• Proyectos con Arduino, PIC y microcontroladores

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