Descripción

El IRF840 es un transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-220, diseñado para aplicaciones de alto voltaje de hasta 500 V. Es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y balastros electrónicos.

Especificaciones técnicas:

• Tipo: MOSFET de canal N
• Encapsulado: TO-220
• Voltaje Drain-Source (V_DS): 500 V
• Corriente de Drain (I_D): 8 A
• Resistencia en conducción (R_DS(on)): 850 mΩ
• Voltaje Gate-Source umbral (V_GS(th)): 2 a 4 V

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Inversores y balastros electrónicos
• Conmutación de alto voltaje
• Proyectos de electrónica de potencia

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