Descripción

El IRF640N es un transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-220, diseñado para conmutación de potencia con soporte de voltajes de hasta 200 V. Es ideal para fuentes conmutadas, control de motores y aplicaciones de alto voltaje.

Especificaciones técnicas:

• Tipo: MOSFET de canal N
• Encapsulado: TO-220
• Voltaje Drain-Source (V_DS): 200 V
• Corriente de Drain (I_D): 18 A
• Resistencia en conducción (R_DS(on)): 150 mΩ
• Voltaje Gate-Source umbral (V_GS(th)): 2 a 4 V

Aplicaciones comunes:

• Conmutación de cargas de alto voltaje
• Control de motores DC y PWM
• Fuentes de alimentación conmutadas
• Proyectos con Arduino, PIC y microcontroladores

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